ZNO/NİO PN EKLEM DİYOTUNUN SOL-JEL YÖNTEMİYLE HAZIRLANMASI VE ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI

Abstract

ZnO ve NiO filmleri sol-jel yöntemiyle sentezlendi. Filmlerin yapısal ve optik özellikleri atomik kuvvet mikroskobu ve UV-VIS spektrofotometre ile incelendi. ZnO ve NiO filmlerinin optik bant genişlikleri sırasıyla 3,198 ve 3,827 eV olarak bulundu. ZnO/NiO pn eklem diyot sol-jel yöntemi ile hazırlandı. pn eklem diyotun elektriksel özelikleri Termoiyonik emisyon ve Norde yöntemleri kullanılarak analiz edildi. Elektriksel parametreler; idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç sırasıyla 6,46, 1,036 eV ve 39,1 M? olarak bulundu. Yüksek elektrik alanlarında, diyotun yük taşıma mekanizması uzay yük limit akımı tarafından kontrol edilir. Bu çalışmada hazırlanan ZnO/NiO pn eklem diyotu elektronik cihaz uygulamalarında kullanılabilir. Anahtar Kelimeler: ZnO, NiO, pn eklem diyot, Sol-Jel

Preparation By Sol-Gel Of ZnO/NiO pn Junction Diode And İnvestigation Of Their Electronic Properties The ZnO and NiO films were synthesized by the sol-gel method. The structural and optical properties of the films were investigated by atomic force microscopy and UV-VIS spectrophotometers. The optical band gaps of ZnO and NiO films were obtained to be 3,198 and 3,827 eV respectively. The ZnO/NiO pn junction diode was prepared by the sol-gel method. The electrical characteristics of the diode were analyzed using thermionic emision and Norde methods. The electrical parameters such ideality factor, barrier height as series resistance were found to be 6,46, 1,036 eV and 39,1 M? respectively. At the higher electric fields, the charge transport mechanism of the diode is controlled by the space charge limited currents. It is evaluated that the prepared ZnO/NiO pn diode can be used in transparent electronic devices applications. Key Words: ZnO, NiO, pn junction diode, Sol-gel