NANO YAPILI METAL OKSİT YARIİLETKENLER KULLANILARAK FOTO DİYOTLARIN ÜRETİLMESİ

Abstract

Bu tezde katkısız ve katkılı CdO ve ZnO filmler sol jel yöntemi ile hazırlandı. CdO ve ZnO filmler spin coater metodu kullanılarak cam altlık üzerine oluşturuldu. Hazırlanan CdO ve ZnO filmlerin yasak enerji band aralığını belirlemek için absorbans, transmitans ve reflektansları ölçüldü. Filmlerin yapısal özellikleri XRD ve AFM tekniği ile araştırıldı. XRD sonuçları CdO ve ZnO filmlerin polikristal yapıya sahip olduğunu doğruladı.Hazırlanan Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların akım-voltaj, fotoakım, kapasite-voltaj ve iletkenlik-voltaj elektriksel karakterizasyonu ölçümleri gerçekleştirildi. Diyotların arayüzey özellikleri ve elektriksel parametreleri Ni ve Al katkılara bağlı olarak değişti.Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların doğrultma ve fotocevap özellikleri katkı miktarına bağlı olarak değişti. Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotlarda en iyi foto duyarlılığı %0.1 Al ve Ni katkılar için gösterdi.Al/p-Si/CdO/Al ve Al/p-Si/ZnO/Al diyotların fotocevap özelliklerinin farklı metal katkılar kullanılarak bu özelliklerin geliştirilebildiği bulundu.

In this thesis, undoped and doped CdO and ZnO films were prepared by sol gel method to fabricate the metal oxide semiconductor based photodiodes. The CdO and ZnO films were grown on the glass substrates using spin coater method. The absorbance transmittance, reflectance of prepared ZnO and ZnO films were measured to determine their optical band gaps. The structural properties of the films were investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy techniques. The XRD results confirm that the ZnO and CdO films have the polycrystalline.The electrical characterization of prepared Al/p-Si /CdO/Al and Al/p-Si/ZnO/Al diodes were performed by current-voltage characteristics, phototransient current measurements, and capacitance-voltage and conductance-voltage techniques. The electrical parameters and interface properties of the diodes were changed with the content of Al and Ni dopants.The photoresponse and rectification properties of Al/p-Si/CdO/Al Al/p-Si/ZnO/Al photodiodes were changed by depending on the content of dopant. The Al/p-Si/CdO/Al and Al/p-Si/ZnO/Al diodes indicate the best photosensivity for 0.1 % Al and Ni dopants.It was found that the photoresponse properties of the Al/p-Si/CdO/Al Al/p-Si/ZnO/Al diode can be improved using various metal dopants.