SİLİSYUM TABANLI FOTODİYOTLARIN NÜKLEER RASYASYON DUYARLILIKLARI - BAYKARA, OKTAY (Fırat Üniveristesi, 2000)
YÜKSEK LİSANS TEZİ SİLİSYUM TABANLI FOTODİYOTLARIN NÜKLEER RADYASYON DUYARLILIKLARI Oktay BAYKARA Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2000, Sayfa: xıv + 102 Bu çalışmada, silisyum tabanlı P-I-N fotodiyotlann radyasyon detektörü olarak kullanılabilirliği araştırılmıştır. Farklı sayılarda fotodiyotun birbiriyle paralel bağlanmasıyla oluşturulan detektörler, çeşitli radyoaktif kaynaklardan yayınlanan a, P ve y radyasyonlarına maruz bırakılarak, detektörlerin bu radyasyonlara karşı duyarlılıkları saptanmıştır. Fotodiyotlardan oluşturulan bu detektörlerin radyasyon sayıcı olarak kullanılmaları durumunda, P radyasyonuna karşı sayım verimlerinin %3,5 - 6 arasında, y radyasyonlarına karşı sayım verimlerinin ise %25-60 arasında olduğu saptanmış, fotodiyotlann aktif alanları üzerindeki koruyucu tabakadan dolayı a radyasyonuna karşı duyarlılıklarının olmadığı görülmüştür. Fotodiyotlann, radyasyon enerjisinin belirlenmesinde kullanılması durumunda, özellikle gama radyasyonuna karşı silisyum radyasyon detektörleri gibi davrandığı saptanmış, oluşturulan fotodetektörlerden elde edilen gama radyasyon spektrumunun sadece Compton saçılması bölgesiyle sınırlı kaldığı, fotodetektörlerin GaAs, CdTe ve Ge gibi diğer radyasyon detektörleriyle karşılaştınlmasıyla anlaşılmıştır. Si tabanlı fotodiyotlardan elde edilen radyasyon detektörlerinin sızıntı akımlan oda sıcaklığında ve uygulama voltajında nA mertebesinde ölçülmüştür. Anahtar Kelimeler: Radyasyon, Si tabanlı PIN fotodiyotlar, Fotodetektörler, Nükleer spektroskopi.
The nuclear radiation sensitivity of silicon based photodiodes
Bu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
Keywords: Fizik ve Fizik Mühendisliği; Physics and Physics Engineering