Al/P-Si/Zno/Al Foto Diyotun Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu

dc.contributor.authorÇavaş, Mehmet
dc.date.accessioned2026-08-12T15:28:09Z
dc.date.issued2017
dc.departmentFırat Üniversitesi
dc.description.abstractBu çalışmada Al/p-Si/ZnO/Al foto diyot spin coting yöntemi kullanılarak üretildi. Foto diyot ışığa duyarlı davranış göstererek ışık şiddetinin artışına bağlı olarak ters yön akımı arttı. Bu durum, üretilen diyotun foto diyot veya foto sensör olarak kullanılabileceğini gösterdi. Diyotun ters yön akımı 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında 1.8x10-3 ampere kadar yükseldi. Ayrıca üretilen ZnO ince filmin yüzey yapısı AFM ile incelendi ve film yapısının nanofiber olduğu görüldü. Nanofiberlerin ortalama kalınlığı yaklaşık 2.75 nm olarak ölçüldü. ZnO ince filmin UV ölçümleri yapıldı ve geçirgenlik oranının yaklaşık %85 olduğu görüldü. Ayrıca foto diyotun yasak enerji aralığı hesaplanarak 3.35 eV bulundu. Diyotun engel yüksekliği, idealite faktörü parametreleri termoiyonik emisyon modeli kullanılarak sırası ile 4.5 ve 0.72 eV olarak hesaplandı. Al/p-Si/ZnO/Al foto diyotun optik ve elektriksel IV, C-V vb. grafikleri çizildi.
dc.identifier.endpage330
dc.identifier.issn1308-9072
dc.identifier.issue1
dc.identifier.startpage325
dc.identifier.trdizinid231305
dc.identifier.urihttps://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/231305
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11508/32218
dc.identifier.volume29
dc.indekslendigikaynakTR-Dizin
dc.language.isotr
dc.relation.ispartofFırat Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.relation.tubitakinfo:eu-repo/grantAgreement/TUBITAK//
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_TR-Dizin_20260511
dc.subjectMühendislik
dc.subjectElektrik ve Elektronik
dc.subjectFizik
dc.subjectUygulamalı
dc.subjectNanobilim ve Nanoteknoloji
dc.subjectKimya
dc.subjectUygulamalı
dc.titleAl/P-Si/Zno/Al Foto Diyotun Üretimi ve Elektriksel Karakterizasyonu
dc.typeArticle

Dosyalar