Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

dc.contributor.authorKorkut, Abdulkadir
dc.contributor.authorİmer, Arife Gençer
dc.date.accessioned2026-08-12T15:11:03Z
dc.date.issued2017
dc.departmentFırat Üniversitesi
dc.description.abstractDeğişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.
dc.identifier.endpage6
dc.identifier.issn1308-9064
dc.identifier.issue2
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11508/29877
dc.identifier.volume29
dc.language.isotr
dc.publisherFırat University
dc.publisherFırat Üniversitesi
dc.relation.ispartofFirat University Journal of Science
dc.relation.ispartofFırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_DergiPark_20260511
dc.titleYarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine
dc.typeArticle

Dosyalar