GÜNEŞ TAKİP SİSTEMLERİ İÇİN Al/P-Si/Zn:CuO/Al FOTODİYOTLARI

Abstract

Bu çalışmada, Zn katklı CuO ince filmleri hazırlanarak Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al fotodiyotları üretilmiştir. Üretilen fotodiyotların akım-voltaj (I–V) ölçümleri karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetleri altında alınmıştır. Al-p-Si/Zn katkılı CuO/Al fotodiyotları iyi bir doğrultma ve iyi bir fototepki özelliği göstermiştir. %0.1 Zn katkılı diyotunun en yüksek doğrultma oranına (1.73x104) ve en yüksek fototepki’ye (2.07x103) sahip olduğu saptanmıştır. Frekansa bağlı kapasite-voltaj ölçümleri oda sıcaklığında 10kHz ile 1MHz aralığında yapılmıştır. Diyotların kapasitansının, artan frekans ile azalması, arayüz yük dağılımından kaynaklanmaktadır. Anlık fotoakım ölçümleri, diyotların fotoiletkenlik davranış sergilediğini gösterir. Zn katkılı CuO filmlerin optiksel özellikleri de UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve optik enerji bant aralığı 1.89-2.15 eV aralığında bulunmuştur. Filmlerin morfolojik yüzey özellikleri atomik güç mikroskobu (AFM) ile araştırılmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi Zn katkısına bağlı olarak değişmiştir. Elde edilen sonuçlar, Al/p-Si/Zn:CuO/Al diyotlarının güneş izleme sistemlerinde fotosensör olarak kullanılabileceğini göstermiştir.